|
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 2Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 2
483
руб
Издательство: Просвещение/Бином
Год выпуска: 2012 Страниц: 422 Тип обложки: 7Б - твердая (плотная бумага или картон) Иллюстрации: Черно-белые Масса: 524 г Размеры: 220x151x20 мм Наличие: Отсутствует
Часть вторая. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования.
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.
Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.
|
||
© 2024, Издательство «Альфа-книга»
Купить самые лучшие и популярные книги в интернет магазине "Лабиринт"
|
Иллюстрации к "Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 2"