Товаров: 0
Цена: 0 руб.
Логин (e-mail):  
Пароль:   Забыли пароль?

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники


МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
1526 руб 
ID товара: 939217
Издательство: Техносфера
Год выпуска: 2020
Страниц: 488
Тип обложки: 7Бц - твердая, целлофанированная (или лакированная)
Иллюстрации: Черно-белые
Масса: 754 г
Размеры: 240x170x25 мм
Наличие: Ограничено
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.




 
Купить самые лучшие и популярные книги в интернет магазине "Лабиринт"