|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторовКонструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
1273
руб
Купить
Издательство: Техносфера
Серия: Мир электроники Год выпуска: 2011 Страниц: 800 Тип обложки: 7Бц - твердая, целлофанированная (или лакированная) Иллюстрации: Черно-белые Масса: 1186 г Размеры: 245x175x37 мм Наличие: На складе
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
2-е издание, исправленное.
Книги из серии "Мир электроники" |
||
© 2024, Издательство «Альфа-книга»
Купить самые лучшие и популярные книги в интернет магазине "Лабиринт"
|